報告題目：GaN基寬禁帶半導體的大失配外延和缺陷控制

報告人：沈 波 教授

報告時間：2023年4月21日14:30-15:30

報告地點：電子與信息工程學院4B303

內容摘要：III族氮化物（又稱GaN基）寬禁帶半導體屬于新興的第三代半導體體系，在短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件領域具有重大應用價值。過去20年，以藍白光LED為核心的半導體照明技術和產業飛速發展，形成了對國家經濟和人民生活有重要影響的高技術產業。近年來AlGaN基深紫外LED和Si襯底上 GaN基功率電子器件發展迅速，受到了學術界和產業界的高度重視。目前藍寶石或Si襯底上的大失配異質外延是制備AlGaN基深紫外LED和GaN基功率電子器件的主流方法，由此導致的高缺陷密度、大殘留應變嚴重制約著器件的性能提升和應用推廣。本報告將首先介紹GaN基第三代半導體技術和產業的發展概況，然后分析GaN基大失配異質外延的物理本質和面臨的關鍵科學技術問題，接著主要介紹近年來北京大學在在上述領域取得的研究進展，主要包括：（1）藍寶石襯底上AlN薄膜及其AlGaN基量子阱的外延生長和p型摻雜；（2）Si襯底上GaN薄膜及其異質結構的外延生長和缺陷研究。希望借此次交流加強和天津工業大學同行的學術交流和合作，共同推動我國GaN基第三代半導體材料和器件的發展和進步。

報告人簡介：沈波，北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任、教育部長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創新研究群體帶頭人。曾任國家973計劃項目首席科學家、863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長。現為國家十三五計劃“戰略性先進電子材料”重點專項總體專家組成員、十四五計劃“新型顯示和戰略性先進電子材料”重點專項第三代半導體方向專家組組長，并擔任國家第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長，享受國務院特殊津貼。

沈波教授1995年迄今一直從事GaN基第三代半導體材料、物理和器件研究，在GaN基薄膜和量子結構的MOCVD外延生長、強極化/高能帶階躍半導體二維電子氣輸運性質、 GaN基射頻和功率電子器件、AlGaN基深紫外發光材料和器件等方面取得了在國內外同行中有一定影響的研究成果。先后主持參加了20多項國家級科研項目，發表SCI論文300多篇，出版中英文專著4部，獲得/申請國家發明專利80多件，在國內外學術會議作邀請報告30多次。先后與華為、京東方、彩虹集團、廣東光大集團等開展了技術合作, 部分成果實現了產業化應用。先后獲國家技術發明二等獎、國家自然科學二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。 

（撰稿人：李秀艷；審核人：牛萍娟）

電子與信息工程學院

2023年4月18日