報告題目：高性能二維電子設備的載流子遷移率和接口屬性的調控

報告人：楊明博士

報告時間：2023年4月12日16:00-17:00

報告地點：電子與信息工程學院4B304

內容摘要：二維半導體，如二硫化鉬（MoS2），有可能在未來的電子設備中取代硅。然而，室溫下二維MoS2的低載流子遷移率及其與高k電介質的劣質界面仍然是高性能納米電子學的關鍵挑戰。本次報告將介紹通過在二維MoS2中引入波紋晶格結構，由于固有介電常數的增加和聲子散射的抑制，可以在室溫下實現創紀錄的高載流子遷移率。對于傳統高k電介質與二維MoS2之間的界面，我們發現加氫是鈍化懸掛鍵并改善界面性能的理想方法，其中氫化可以選擇性地發生在Si3N4和HfO2等高k電介質上，并且不影響二維半導體MoS2。最后，介紹一種數據驅動方法，以加速開發無機分子晶體，將其作為基于二維MoS2電子器件的高性能高k電介質。研究成果對加深二維半導體中載流子遷移率及其與高k電介質界面的理解，開發高性能二維電子和光電器件具有重要意義。

報告人簡介：楊明，香港理工大學應用物理系助理教授、博士生導師，研究方向為利用高通量篩選、高通量第一性原理計算、機器學習等研究能源與催化材料、二維材料的各種物理性質與器件應用，理解與調控二維半導體材料與介電層、金屬接觸的界面性質。國際權威刊物如Nat. Electronics,Nat. Nanotechn.,Nat. Physics, Nat. Commun., JACS, Adv. Mater. Nano Lett.,等發表論文150余篇（Google Scholar總引用次數超5300，H-index 41）、3項PCT專利、并貢獻石墨烯手冊的相關章節。

（撰稿人：李秀艷；審核人：牛萍娟）

電子與信息工程學院

2023年4月11日